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高端研發(fā)領(lǐng)域?qū)Ｓ玫亩嗳肷浣羌す鈾E偏儀，采用多項(xiàng)專利技術(shù)，儀器硬件和軟件具有多項(xiàng)定制功能設(shè)計(jì)，適用于光面或絨面納米薄膜測量、塊狀固體參數(shù)測量、快速變化的納米薄膜實(shí)時(shí)測量等不同的應(yīng)用場合。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1.高精度、高穩(wěn)定性 2.一體化集成設(shè)計(jì) 3.測量簡單 4.快速、高精度樣品方位對(duì)準(zhǔn) 5.多角度測量 6.實(shí)時(shí)測量 7.豐富的材料庫及物理模型 8.強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析和管理功能 應(yīng)用領(lǐng)域： 可應(yīng)用于納米薄膜的幾乎所有領(lǐng)域，如微電子、半導(dǎo)體、生命科學(xué)、電化學(xué)、顯示技術(shù)、磁介質(zhì)及金屬處理等�？蓪�(duì)納米層構(gòu)樣品的薄膜厚度和折射率n及消光系數(shù)k進(jìn)行快速、高精度、高準(zhǔn)確度的測量，尤其適用于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)及質(zhì)量監(jiān)控，可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構(gòu)模系，以及塊狀材料（基底）。

技術(shù)指標(biāo)：

激光波長	632.8nm(He-Ne laser)
膜層厚度精度	0.01nm(對(duì)于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層
折射率精度	1x10-4 （對(duì)于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層
光學(xué)結(jié)構(gòu)	PSCA
激光光束直徑	<1mm
入射角度	40°-90°可選，步進(jìn)5°
樣品方位調(diào)整	三維平移調(diào)節(jié)；±6.5mm（X-Y-Z三軸） 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° 光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)
樣品臺(tái)尺寸	Φ 170mm
單次測量時(shí)間	0.2s
推薦測量范圍	0-6000nm
最大外形尺寸（長x寬x高）	887x332x552mm(入射角為90°時(shí)
儀器重量（凈重）	25kg