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| PECVD化學(xué)氣相淀積控制器 |
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| 關(guān)鍵字：PECVD化學(xué)氣相淀積控制器 dbzz
PECVD化學(xué)氣相淀積控制器用于氮化硅淀積設(shè)備的控制,是一部單腔制程的電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，適用于 200mm 晶圓制造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓制程，可沉積制造薄膜包括氮化硅(SiNX)和氮化硅氧化硅(SiO2) 碳化硅 (SiC) 等高質(zhì)量薄膜沉積。
PECVD化學(xué)氣相淀積控制器適用于半導(dǎo)體生產(chǎn)制程；為了順應(yīng)批次生產(chǎn)之?dāng)?shù)量擴(kuò)充，本公司更提供 18 吋大面積之尺寸適用 Ⅲ-Ⅴ 族晶圓制程 2 吋芯片可達(dá) 42 片，以及大陽(yáng)能電池相關(guān)制程之應(yīng)用。
PECVD化學(xué)氣相淀積控制器擁有良好之均勻性 (<3%) 以及半導(dǎo)體制造過(guò)程中所需的階梯覆蓋及隙縫填補(bǔ)能力，可應(yīng)用在保護(hù)層、隔離層和介電絕緣層沉積以及光罩 (hard mask) 等制程應(yīng)用，提供 MMIC、VCSEL、藍(lán)光 LED、LD 等光電與通訊半導(dǎo)體組件以及太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的必要制程設(shè)備。
參考網(wǎng)址：http://www.jlgw.com |
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